28-07-2014، 11:59
اسمارت فون های امروزی با حافظه های داخلی گیگابایتی و قابلیت ارتقاء از طریق درگاه هایی نظیر میکرو اس دی ، بین ۴ تا ۱۲۸ گیگابایت هستند.اما ظاهرا قرار است گیگابایت جای خود را به مگابایت امروزی بدهد!
اکنون محققان دانشگاه Rice موفق به تولید نوعی حافظه موسوم به resistive RAM یا (RRAM) شده اند که توسط تجهیزات معمولی و در دمای اتاق ساخته شده است.
در این حافظه از اکسید سیلیکون متخلخلی استفاده می شود که فضای خالی آن با فلزاتی مثل طلا و پلاتینیوم پر شده است. این امر نه تنها به تولید کنندگان، یک ماده اولیه آشنا را معرفی می کند بلکه سبب می شود حافظه ساخته شده مصرف انرژی کمتری هم داشته باشد. همچنین این RRAM ها نسبت به نمونه های قبلی خود متراکم تر هستند و می توانند در هر سلول خود تا ۹ بیت اطلاعات ذخیره کنند در حالی که در حافظه های فلش کنونی این مقدار ۳ بیت است. این حافظه ها طول عمری ۱۰۰ برابر بیشتر از نمونه های کنونی دارند و در برابر گرما هم مقاوم هستند.
نتایج این تحقیقات ممکن است منجر به دست یابی به یک درایو با ظرفیت عالی و طول عمر زیاد – مانند SSD ها – شود. شرکت Crossbar که این تحقیقات به سفارش او انجام می شود ادعا کرده است که این حافظه ها می توانند ۱TB اطلاعات را در حجمی به اندازه یک تمبر پستی ذخیره کنند.
به نظر می رسد این حافظه ها برای دستگاه های قابل حمل مانند گوشی های هوشمند و تبلت ها بسیار ایده آل و مناسب باشند و این بدین معنی است که این دستگاه ها برای مدت بسیار بسیار طولانی نگرانی از بابت کمبود فضای ذخیره سازی نخواهند داشت.
سرپرست این تحقیقات James Tour از قرارداد ساخت این حافظه ها با یک شرکت تولید کننده خبر داده است. نام این شرکت هنوز منتشر نشده است ولی بعید به نظر نمی رسد که این حافظه های با ظرفیت فوق العاده به صورت انبوه تولید و عرضه شوند.