بازی آنلاین
آپلود عکس
21-08-2015، 11:29
اینتل و میکرون می‌گویند حافظه کاملا جدیدی اختراع کرده‌اند که دارای تراکم بیشتر، مقاومتی بیشتر و سرعتی بسیار بالاتر از حافظه‌های کنونی بازار است.
در کنفرانسی که دیروز توسط این دو شرکت مطرح حوزه سخت‌افزارهای نیمه‌رسانا برگزار شد، از تکنولوژی جدیدی به نام 3D Xpoint پرده‌برداری شد که در گروه حافظه‌های غیرفرار (Non-Volatile) قرار می‌گیرد و به ادعای سازندگانش تا 1000 برابر پرسرعت‌تر از حافظه‌های NAND است که امروزه در ساخت SSD ها و فلش مموری‌ها کاربرد دارد.
ساختار 3D Xpoint به ترانزیستورهای امروزی وابستگی ندارد و در عوض ماده‌ای که هر کدام از سلول‌های این حافظه را تشکیل داده است، حالت فیزیکی خود را تغییر می‌دهند و مقاومت الکتریکی بالا و پایین ایجاد می‌کنند. مقاومت الکتریکی بالا و پایین به‌ترتیب به‌معنی 1 و 0 خواهد بود که مبنای ذخیره و خواندن اطلاعات است.
در این ساختار، سلول‌ها در الگویی سه‌بعدی بر روی یکدیگر قرار گرفته‌اند تا به ادعای محققین اینتل، 10 برابر متراکم‌تر از حافظه‌های امروزی باشد. اینتل می‌گوید این اولین‌بار پس از سال 1989 است که کلاس جدیدی از حافظه‌ها به بازار عرضه می‌شود.
«راب کروک» نایب رییس اینتل نیز در اطلاعیه‌ای نوشته است: "برای دهه‌ها، بازار سخت‌افزار در پی راهی برای کاهش زمان تاخیر ارتباط میان پردازنده‌ها و حافظه‌ها بود تا به سرعت بالاتری در آنالیز اطلاعات دست پیدا کند. فناوری جدید ما این هدف را برآورده می‌کند و قواعد بازی در حوزه حافظه و روش‌های ذخیره‌سازی اطلاعات را بر هم میزند."
اینتل و میکرون اعلام کرده‌اند که تولید این حافظه‌ها را آغاز کرده‌اند، با این حال هنوز از محدودیت‌های اولیه عرضه آن‌ها اطلاعی در دست نیست. علاوه بر این بحث قیمت و در نتیجه گستردگی و رواج آن‌ها نیز از بحث‌هایی است که از همین حالا مطرح شده است.
پیشبینی می‌شود که به دلیل مقاومت بالا و غیرفرار بودن 3D Xpoint از آن در ذخیره‌سازی اطلاعات با بازه طولانی‌مدت استفاده شود و در نتیجه مشتریان بیزینسی، اولین و سفارش‌دهندگان این حافظه‌ها خواهند بود.
در کنفرانسی که دیروز توسط این دو شرکت مطرح حوزه سخت‌افزارهای نیمه‌رسانا برگزار شد، از تکنولوژی جدیدی به نام 3D Xpoint پرده‌برداری شد که در گروه حافظه‌های غیرفرار (Non-Volatile) قرار می‌گیرد و به ادعای سازندگانش تا 1000 برابر پرسرعت‌تر از حافظه‌های NAND است که امروزه در ساخت SSD ها و فلش مموری‌ها کاربرد دارد.
ساختار 3D Xpoint به ترانزیستورهای امروزی وابستگی ندارد و در عوض ماده‌ای که هر کدام از سلول‌های این حافظه را تشکیل داده است، حالت فیزیکی خود را تغییر می‌دهند و مقاومت الکتریکی بالا و پایین ایجاد می‌کنند. مقاومت الکتریکی بالا و پایین به‌ترتیب به‌معنی 1 و 0 خواهد بود که مبنای ذخیره و خواندن اطلاعات است.
در این ساختار، سلول‌ها در الگویی سه‌بعدی بر روی یکدیگر قرار گرفته‌اند تا به ادعای محققین اینتل، 10 برابر متراکم‌تر از حافظه‌های امروزی باشد. اینتل می‌گوید این اولین‌بار پس از سال 1989 است که کلاس جدیدی از حافظه‌ها به بازار عرضه می‌شود.
«راب کروک» نایب رییس اینتل نیز در اطلاعیه‌ای نوشته است: "برای دهه‌ها، بازار سخت‌افزار در پی راهی برای کاهش زمان تاخیر ارتباط میان پردازنده‌ها و حافظه‌ها بود تا به سرعت بالاتری در آنالیز اطلاعات دست پیدا کند. فناوری جدید ما این هدف را برآورده می‌کند و قواعد بازی در حوزه حافظه و روش‌های ذخیره‌سازی اطلاعات را بر هم میزند."
اینتل و میکرون اعلام کرده‌اند که تولید این حافظه‌ها را آغاز کرده‌اند، با این حال هنوز از محدودیت‌های اولیه عرضه آن‌ها اطلاعی در دست نیست. علاوه بر این بحث قیمت و در نتیجه گستردگی و رواج آن‌ها نیز از بحث‌هایی است که از همین حالا مطرح شده است.
پیشبینی می‌شود که به دلیل مقاومت بالا و غیرفرار بودن 3D Xpoint از آن در ذخیره‌سازی اطلاعات با بازه طولانی‌مدت استفاده شود و در نتیجه مشتریان بیزینسی، اولین و سفارش‌دهندگان این حافظه‌ها خواهند بود.
![[-]](http://www.flashkhor.com/forum/images/collapse.gif "[-]")
